无锡冠亚恒温
碳化硅 SiC 功率芯片测试，经常会用到 40℃及以下宽温域工况。运行过程循环介质内部出现气泡，会扰动循环流量，造成冷板换热条件不稳定，影响功率器件测试数据。SiC 测试很多属于精密可靠性项目，介质起泡不可简单忽略。起泡分为加注带入的一次性气体，和系统漏气持续析出气体两类情况，处理方式存在差异。本文整理现象对照表，给出处置思路。
一、SiC 测试介质起泡现象对照表
| 起泡表现 | 内在诱因 | 对 SiC 芯片测试带来影响 |
| 加注介质之后大量气泡，排气之后逐步消失 | 加注介质带入空气，属于一次性进气 | 排气完成之后不影响长期测试 |
| 降温到低温区间，气泡数量明显变多 | 介质含水率偏高，低温析出溶解气体 | 露点抬升，裸片状态 SiC 样品存在腐蚀风险 |
| 排气完成，运行一段时间又生成气泡 | 管路接头、腔体密封存在缝隙，外界空气渗入 | 流量持续扰动，测试数据重复性变差 |
二、分层逐项处理流程
初次加注介质产生气泡处置
补充、更换介质的时候加注速度过快，空气被卷吸入管路，会出现大量气泡。将设备调整至常温工况，打开多处排气阀，分多批次空载循环排气。不要一次性快速加满介质，降低卷吸空气的情况。 排气完成，空载运行一段时间，气泡基本消散之后，再接入 SiC 测试工装开展试验。
低温工况气泡增多处置
温度降低，介质内部溶解的气体会析出形成气泡，该现象大多和介质含水率超标相关。抽取介质样品，检测含水率指标。 指标超标，则完整更换合格介质，同步启动分子筛再生流程，降低系统内部水汽含量。更换介质之后，完整执行排气操作，再运行低温程序，观察气泡生成情况。
排气完成气泡反复复发处置
多次排气，运行一段时间气泡再次出现，代表系统存在持续性漏气点位。空气顺着接头、密封垫片缝隙持续进入循环回路。 顺着整套外接管路、主机腔体、工装接口做完整巡检，老化硬化的密封垫片进行更换，紧固管路接头。目视无法定位漏点，则开展分段保压测试，缩小漏点排查范围，完成密封修复。
三、SiC 芯片测试场景提示
SiC 裸片类样品测试，一旦发现介质起泡现象，优先暂停样品测试，处理完成之后恢复试验；封装成品粗测，可在排气完成之后继续观察气泡变化，气泡反复生成依旧需要停机排查。 每次更换介质、拆装工装接头，都需要执行排气操作，减少带入空气。
总结
SiC 测试高低温一体机介质起泡，分为加注带入的一次性气体、介质含水率偏高、系统密封漏气三类情况。先做完整排气，观察气泡是否复现；反复起泡，则检测介质指标，排查管路密封点位。SiC 裸片精密测试项目，不建议在介质起泡状态下继续运行试验。
FAQ
Q：只有少量细小气泡，做封装 SiC 模块测试可以继续跑程序吗？
A：普通粗测可短期观察，可靠性循环测试建议完成排气，避免流量扰动带来测试数据离散。
Q：低温才起泡，常温看不到气泡是什么原因？
A：气体高温溶解在介质内部，温度下降，气体溶解度下降析出，需要检测介质含水率和系统漏气情况。
Q：做完分子筛再生，依旧低温起泡，需要做什么？
A：优先取样检测介质含水率，再开展整套循环回路保压检漏，排查持续进气点位。
