FLTZ-80℃~+90℃
广泛运用在半导体制程中对反应腔室控温、热沉板控温及需要传热介质 不可燃流体控温场所,适用于半导体芯片制造、芯片器件、航空电子设 备中的制冷加热温度控制。
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生产车间面积超1.2万㎡,2021年销售额突破3亿元,在职员工近300人。




| 型号 | FLTZ-803W | FLTZ-805W | FLTZ-806W | FLTZ-808W | FLTZ-810W |
| 温度范围 | -80℃~+90℃ | ||||
| 控温精度 | ±0.1℃(可定制±0.01℃控温精度设备) | ||||
| 流量/压力 MAX | 7~25L/min 5bar | 12~45L/min 6bar | |||
| 制冷量at-70℃ | 0.6kW | 1kW | 1.5kW | 2kW | 3kW |
| 加热功率 | 2kW | 2kW | 2kW | 3.5kW | 3.5kW |
| 内循环液容积 | 4L | 5L | 6L | 8L | 10L |
| 膨胀罐容积 | 10L | 10L | 15L | 15L | 20L |
| 导热介质 | 氟化液 | ||||
| 进出接口 | Rc1/2 | Rc1/2 | Rc3/4 | Rc3/4 | Rc3/4 |
| 冷却水接口 | Rc3/4 | Rc3/4 | Rc3/4 | Rc1 | Rc1 |
| 冷却水at20℃ | 1.8m³/H | 2.5m³/H | 3m³/H | 5m³/H | 6m³/H |
| 断路器 | 25A | 25A | 32A | 40A | 50A |
| ⼯艺过程温度控制 | 可根据⾃创⽆模型⾃建树算法和串级算法相结合来控制远程⽬标温度(动态控温) | ||||
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