无锡冠亚恒温
芯片研发阶段需要完成设计阶段温度摸底、样品性能初测、ji限温区特性采集，KSD 系列接触式高低温测试机凭借宽温区、高速温变、样品直测等特性适配研发实验室场景。本文梳理研发流程选型、设备使用全流程规范。
一、确认控温对象
| 控温对象 | 重点参考方向 |
| 流片后裸片试样 | ji限高低温摸底、微小样品精准测温 |
| 初版封装测试 IC | 全温区间电学参数采集 |
| 新型集成电路设计样品 | 自定义多段温度曲线验证 |
| 小型分立半导体器件 | 快速循环温变性能测试 |
| 研发迭代对比试样 | 实验数据可追溯、重复性高 |
二、确认应用工艺流程
芯片研发分为三步核心流程：一是ji限温度摸底，分别在 – 75℃、200℃定点保温采集基础参数；二是全区间温度循环，验证样品温变稳定性；三是自定义阶梯温变，模拟终端实际使用工况。研发单次测试样品数量少，侧重数据精度与曲线自定义功能，设备 PLC 可编程、多协议通讯适配实验室数据采集系统。
三、核对核心技术参数
- 温度区间 – 75℃~+200℃覆盖全研发摸底需求；
- Plunger 直接接触测温，消除样品温度测量误差；
- PLC 可编程多段温度曲线编辑；
- Modbus 多通讯协议对接实验室上位机；
- Z 轴气动柔性施压，保护研发易碎裸片。
四、匹配对应机型
| 研发场景 | 机型选择 | 核心适配优势 |
| 少量裸片、常规匀速研发实验 | KSD-705-A | 基础参数、性价比适配实验室 |
| 高速温变、短节拍迭代测试 | KSD-705-B | 75℃/min 升降温，缩短实验周期 |
| 批量研发样品、大尺寸晶圆 | KSD-710 | 120*120mm 大载台、大功率冷量 |
五、研发测试使用注意事项
- 裸片超薄样品调低 Z 轴下压压力，防止探头挤压破损；
- ji限低温测试全程开启 CDA 干气吹扫，避免样品表面凝露氧化；
- 研发多组对比实验，统一保存设备温度运行日志便于数据分析；
- 通过通讯接口对接实验室上位机，自动同步全过程温度曲线。
六、常见问题 FAQ
- 研发实验室选用环保 KSDR 系列是否可行？ KSDR 性能与 KSD 完全一致，有环保合规需求可直接选用。
- 设备可以存储多套不同芯片研发温度程序吗？ PLC 控制系统支持多组工艺配方存储，一键调用切换。
- 微小裸片测温数据准确度能满足研发标准吗？ Plunger 直接贴合芯片，稳态 ±0.2℃精度适配研发参数采集。
- 单次只能测试一片芯片吗？ 75/120mm 载台可同时摆放多片小型样品同步测试。
